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纳仕达:薄膜电阻的特性优缺点

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  薄膜贴片电阻具有最好温度灵敏堆积层厚度,但最好薄膜厚度发生的电阻值严峻约束了可能的电阻值规模。因而,选用各种堆积层厚度能够完成不一样的电阻值规模。薄膜电阻的稳定性受温度上升的影响。薄膜电阻稳定性的老化过程因完成不一样电阻值所需的薄膜厚度而不一样,因而在全部电阻规模内是可变的。这种化学/机械老化还包含电阻合金的高温氧化。此外,改动最好薄膜厚度还会严峻影响 TCR。因为较薄的堆积层更简单氧化,因而高阻值薄膜电阻退化率十分高。
  因为金属量少,薄膜电阻在湿润的条件下极易自蚀。浸入封装过程中,水蒸汽会带入杂质,产生的化学腐蚀会在低压直流使用几小时内形成薄膜电阻开路。改动最好薄膜厚度会严重影响 TCR。因为较薄的堆积层更简单氧化,因而高阻值薄膜电阻退化率十分高。

薄膜电阻由陶瓷基片上厚度为 50 A 至 250 A 的金属堆积层组成 (选用真空或溅射技术)。薄膜电阻单位面积阻值高于线绕电阻或 Bulk Metal® 金属箔电阻,并且更为廉价。在需要高阻值而精度需求为中等水平时,薄膜电阻更为经济并节省空间。

深圳市纳仕达科技公司是供应定制合金电阻,厚膜电阻锰铜电阻,合金电阻以及厚膜电阻的高端电阻定制厂家;提供合金电阻,锰铜电阻和厚膜电阻生产的合金电阻厂家.https://www.sznsd.net/

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