纳仕达：单片机中的高阻态到底什么意思?
在一个系统中或在一个整体中，我们往往定义了一些参考点，就像我们常常说的海平面，在单片中也是如此，我们无论说是高电平还是低电平都是相对来说的。https://bbs.hcbbs.com/forum.php?mod=image&aid=1940633&size=300x300&key=00505b45de271352&nocache=yes&type=fixnone 在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中绝对不能出现，从逻辑电路上来讲，上管开-下管关开时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是开漏状态(低阻态)，因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。
排阻
无论是低阻态还是高阻态都是相对来说的，把下管子置于截止状态就可以把GND和I/O口隔离达到开路的状态，这时候推挽一对管子是截止状态，忽略读取逻辑的话I/O口引脚相当于与单片机内部电路开路，考虑到实际MOS截止时会有少许漏电流，就称作“高阻态”
由于管子PN节带来的结电容的影响，有的资料也会称作“浮空”，通过I/O口给电容充电需要一定的时间，那么IO引脚处的对地的真实电压和水面浮标随波飘动类似了，电压的大小不仅与外界输入有关还和时间有关，在高频情况下这种现象是不能忽略的。
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